2. 위탁과제 연구내용

ZnO p형 도핑 공정 활성화 기술은 p형 ZnO 박막을 이용한 차세대 광대역 반도체 LED 제작기술의 기반 기술을 제공하여 새로운 청색 및 자색의 단파장 LED 제작을 위한 원천기술을 확보할 수 있는 매우 중요한 기술임.

ZnO p형 도핑 활성화 연구를 위해서는 p형 도펀트가 포함된 ZnO 타겟 제작이 필수적임

 ▶ ZnO 및 각각의 도펀트가 도핑된 ZnO 타겟 조성

■ 5족, 3-5족 single, codoped 도핑 타겟의 개발

- p형: Zn3P2, GroupI(Li, Ag, Al, Na, K 등), GroupV(N, P, As, Sb 등)

- n형: Zn1-xMgxO,

■ 필름의 도핑비 변화가 가능한 특수 타겟 제조 공정

- pancake 형, 표면 분산형

■ 분석을 통한 최적의 도펀트 도출 및 최적의 조성 도출

■ 최적 공정을 통한 고품질 p, n형 ZnO 타겟 제작 기반 기술 개발

■ 제작된 타겟의 특성 분석

- 타겟 순도: 99.9% 이상

- 성분분석(dopant의 정확한 수치 포함): 1% 이내

- 밀도 : 97% 이상

- 균일도: 2% 이내