그래핀 반도체 상용화 기술 개발 - KIST-MIT-동국대 공동연구팀, 새로운 소재와의 결합 통해 기존 그래핀의 한계 극복 - 전자 소자로서의 그래핀 상용화 가능성 높아져 그래핀은 전도성이 높고 강도가 강하며, 탄성이 뛰어나 꿈의 신소재라 불리며 전 세계적으로 활발히 연구되고 있다. 하지만 띠간격(band gap)이 없어 금속성을 지니고, 가장자리가 불안정하며 적합한 기판이 없어 전자소자로의 응용에 많은 어려움이 있었다. 이러한 문제점들을 해결할 수 있는 방법이 개발되었다. 한국과학기술연구원(KIST, 원장 문길주) 전북분원(분원장 홍경태) 복합소재기술연구소 소프트혁신소재연구센터 김수민 박사팀은 미국 메사추세츠 공과대학(MIT) Jing Kong 교수, 동국대학교 융합에너지신소재공학과 김기강 교수 연구팀 등과 함께 국내 최초로 그래핀과 보론나이트라이드를 이용한 결합 구조 구현에 성공했다고 밝혔다. 이번 연구 성과는 나노 분야의 세계적 권위지인 나노레터스(Nano Letters) 3월호에 게재되었다. 그래핀은 전자의 이동도가 높은 물질이다. 때문에 기존 반도체 실리콘(Si)의 대체 물질로 전자소자 등의 분야에 높은 활용성을 보일 것으로 기대되어 왔다. 하지만 가장자리에서의 전자 산란으로 인한 불안정성과, 기존에 기판으로 사용되어 온 산화 실리콘의 거친 표면으로 인한 전하이동도의 저하로 그동안 응용과 상용화에 어려움을 겪어왔다. 때문에 그동안 그래핀을 전자소자로 활용하기 위해 이러한 한계를 극복할 수 있는 방법에 대한 연구가 꾸준히 진행되어 왔다. 공동연구팀은 이러한 기존의 단점을 개선하기 위해 그래핀과 같은 육각형 모양을 가진, 탄소가 아닌 보론과 질소로 이루어진 보론나이트라이드를 이용하여 그래핀이 가지고 있는 문제점을 개선시킬 수 있는 새로운 하이브리드 구조를 구현하는데 성공했다. 화학증착법을 이용하여 그래핀과 보론나이트라이드 두 물질을 단층, 혹은 적층 구조의 결합 구조로 구현한 결과, 단층 결합 구조가 그래핀 가장자리의 전자 산란을 감쇠시키는 것으로 나타나 띠간격이 있는 그래핀 나노 리본 연구에 큰 기여를 할 것으로 예상된다. 그래핀은 탄소로 이루어진 구조를 가지고 있지만 탄소가 아니라 수소나 산소 같은 원소들이 붙어서 그래핀의 가장자리가 불안정해질 경우 전자 이동이 방해받는 단점이 있었다. 연구팀은 이 가장자리를 그래핀과 비슷한 구조인 질소와 보론으로 이루어진 보론나이트라이드로 구현하는데 성공, 그러한 단점을 극복한 것이다. 또 적층 구조의 경우 보론나이트라이드를 기판으로 적용한 결과 그래핀이 금속성에서 반도체성으로 전환되었으며, 기존 산화 실리콘의 거친 표면으로 인한 그래핀의 전하이동도 저하 문제 또한 개선되었다. 이는 전자소자로서의 그래핀 연구에 큰 돌파구를 마련한 것으로, 향후 투명하면서 휘어지는 태양전지, 투명전극, 트랜지스터 등의 소프트 일렉트로닉스 분야에 큰 기여를 할 것으로 기대된다. KIST 김수민 박사는 "이번 연구는 그래핀 전자소자 연구의 최대 난제를 해결할 수 있는 새로운 연구 방향을 제시한 것으로 추후 새로운 소재를 통한 하이브리드 구조 연구에 기여할 것으로 기대된다" 고 말했다. 이번 연구는 KIST 및 교과부의 연구비 지원으로 수행되었다. ○ 연구진 ○ 사진설명 <그림> 그래핀과 보론 나이트라이드를 이용한 평면, 적층 구조의 하이브리드 연구 그래핀과 보론나이트라이드 두 물질을 이용하여 단층 혹은 적층 구조의 하이브리드 구조를 합성하였다. 합성 방법에 따라 구조를 달리 조절할 수 있으며, 단층 구조일 경우 그래핀 가장자리가 안정화되어 Raman 에서 D-band가 적게 나타남을 확인할 수 있다. 그리고 적층 구조에서는 보론나이트라이드 위에 그래핀을 적층 구조로 합성 시켜서 일반적으로 거친 산화실리콘 표면에서 오는 문제점을 평평한 표면의 보론나이트라이드를 합성하여 그러한 문제점을 감소시켜 그래핀의 본래의 특성을 잘 유지시켜주는 것을 보여주었다. 오른쪽 그림의 전자투과현미경 이미지에서는 적층구조로 합성한 결과 그래핀과 보론나이트라이드가 AA-like 혹은 AB-stacking 으로 구조화되어 합성 방법으로서 적층 구조 제어를 했다는 것을 보여주었다.

그래핀 반도체 상용화 기술 개발 - KIST-MIT-동국대 공동연구팀, 새로운 소재와의 결합 통해 기존 그래핀의 한계 극복 - 전자 소자로서의 그래핀 상용화 가능성 높아져 그래핀은 전도성이 높고 강도가 강하며, 탄성이 뛰어나 꿈의 신소재라 불리며 전 세계적으로 활발히 연구되고 있다. 하지만 띠간격(band gap)이 없어 금속성을 지니고, 가장자리가 불안정하며 적합한 기판이 없어 전자소자로의 응용에 많은 어려움이 있었다. 이러한 문제점들을 해결할 수 있는 방법이 개발되었다. 한국과학기술연구원(KIST, 원장 문길주) 전북분원(분원장 홍경태) 복합소재기술연구소 소프트혁신소재연구센터 김수민 박사팀은 미국 메사추세츠 공과대학(MIT) Jing Kong 교수, 동국대학교 융합에너지신소재공학과 김기강 교수 연구팀 등과 함께 국내 최초로 그래핀과 보론나이트라이드를 이용한 결합 구조 구현에 성공했다고 밝혔다. 이번 연구 성과는 나노 분야의 세계적 권위지인 나노레터스(Nano Letters) 3월호에 게재되었다. 그래핀은 전자의 이동도가 높은 물질이다. 때문에 기존 반도체 실리콘(Si)의 대체 물질로 전자소자 등의 분야에 높은 활용성을 보일 것으로 기대되어 왔다. 하지만 가장자리에서의 전자 산란으로 인한 불안정성과, 기존에 기판으로 사용되어 온 산화 실리콘의 거친 표면으로 인한 전하이동도의 저하로 그동안 응용과 상용화에 어려움을 겪어왔다. 때문에 그동안 그래핀을 전자소자로 활용하기 위해 이러한 한계를 극복할 수 있는 방법에 대한 연구가 꾸준히 진행되어 왔다. 공동연구팀은 이러한 기존의 단점을 개선하기 위해 그래핀과 같은 육각형 모양을 가진, 탄소가 아닌 보론과 질소로 이루어진 보론나이트라이드를 이용하여 그래핀이 가지고 있는 문제점을 개선시킬 수 있는 새로운 하이브리드 구조를 구현하는데 성공했다. 화학증착법을 이용하여 그래핀과 보론나이트라이드 두 물질을 단층, 혹은 적층 구조의 결합 구조로 구현한 결과, 단층 결합 구조가 그래핀 가장자리의 전자 산란을 감쇠시키는 것으로 나타나 띠간격이 있는 그래핀 나노 리본 연구에 큰 기여를 할 것으로 예상된다. 그래핀은 탄소로 이루어진 구조를 가지고 있지만 탄소가 아니라 수소나 산소 같은 원소들이 붙어서 그래핀의 가장자리가 불안정해질 경우 전자 이동이 방해받는 단점이 있었다. 연구팀은 이 가장자리를 그래핀과 비슷한 구조인 질소와 보론으로 이루어진 보론나이트라이드로 구현하는데 성공, 그러한 단점을 극복한 것이다. 또 적층 구조의 경우 보론나이트라이드를 기판으로 적용한 결과 그래핀이 금속성에서 반도체성으로 전환되었으며, 기존 산화 실리콘의 거친 표면으로 인한 그래핀의 전하이동도 저하 문제 또한 개선되었다. 이는 전자소자로서의 그래핀 연구에 큰 돌파구를 마련한 것으로, 향후 투명하면서 휘어지는 태양전지, 투명전극, 트랜지스터 등의 소프트 일렉트로닉스 분야에 큰 기여를 할 것으로 기대된다. KIST 김수민 박사는 "이번 연구는 그래핀 전자소자 연구의 최대 난제를 해결할 수 있는 새로운 연구 방향을 제시한 것으로 추후 새로운 소재를 통한 하이브리드 구조 연구에 기여할 것으로 기대된다" 고 말했다. 이번 연구는 KIST 및 교과부의 연구비 지원으로 수행되었다. ○ 연구진 ○ 사진설명 <그림> 그래핀과 보론 나이트라이드를 이용한 평면, 적층 구조의 하이브리드 연구 그래핀과 보론나이트라이드 두 물질을 이용하여 단층 혹은 적층 구조의 하이브리드 구조를 합성하였다. 합성 방법에 따라 구조를 달리 조절할 수 있으며, 단층 구조일 경우 그래핀 가장자리가 안정화되어 Raman 에서 D-band가 적게 나타남을 확인할 수 있다. 그리고 적층 구조에서는 보론나이트라이드 위에 그래핀을 적층 구조로 합성 시켜서 일반적으로 거친 산화실리콘 표면에서 오는 문제점을 평평한 표면의 보론나이트라이드를 합성하여 그러한 문제점을 감소시켜 그래핀의 본래의 특성을 잘 유지시켜주는 것을 보여주었다. 오른쪽 그림의 전자투과현미경 이미지에서는 적층구조로 합성한 결과 그래핀과 보론나이트라이드가 AA-like 혹은 AB-stacking 으로 구조화되어 합성 방법으로서 적층 구조 제어를 했다는 것을 보여주었다.

그래핀 반도체 상용화 기술 개발 - KIST-MIT-동국대 공동연구팀, 새로운 소재와의 결합 통해 기존 그래핀의 한계 극복 - 전자 소자로서의 그래핀 상용화 가능성 높아져 그래핀은 전도성이 높고 강도가 강하며, 탄성이 뛰어나 꿈의 신소재라 불리며 전 세계적으로 활발히 연구되고 있다. 하지만 띠간격(band gap)이 없어 금속성을 지니고, 가장자리가 불안정하며 적합한 기판이 없어 전자소자로의 응용에 많은 어려움이 있었다. 이러한 문제점들을 해결할 수 있는 방법이 개발되었다. 한국과학기술연구원(KIST, 원장 문길주) 전북분원(분원장 홍경태) 복합소재기술연구소 소프트혁신소재연구센터 김수민 박사팀은 미국 메사추세츠 공과대학(MIT) Jing Kong 교수, 동국대학교 융합에너지신소재공학과 김기강 교수 연구팀 등과 함께 국내 최초로 그래핀과 보론나이트라이드를 이용한 결합 구조 구현에 성공했다고 밝혔다. 이번 연구 성과는 나노 분야의 세계적 권위지인 나노레터스(Nano Letters) 3월호에 게재되었다. 그래핀은 전자의 이동도가 높은 물질이다. 때문에 기존 반도체 실리콘(Si)의 대체 물질로 전자소자 등의 분야에 높은 활용성을 보일 것으로 기대되어 왔다. 하지만 가장자리에서의 전자 산란으로 인한 불안정성과, 기존에 기판으로 사용되어 온 산화 실리콘의 거친 표면으로 인한 전하이동도의 저하로 그동안 응용과 상용화에 어려움을 겪어왔다. 때문에 그동안 그래핀을 전자소자로 활용하기 위해 이러한 한계를 극복할 수 있는 방법에 대한 연구가 꾸준히 진행되어 왔다. 공동연구팀은 이러한 기존의 단점을 개선하기 위해 그래핀과 같은 육각형 모양을 가진, 탄소가 아닌 보론과 질소로 이루어진 보론나이트라이드를 이용하여 그래핀이 가지고 있는 문제점을 개선시킬 수 있는 새로운 하이브리드 구조를 구현하는데 성공했다. 화학증착법을 이용하여 그래핀과 보론나이트라이드 두 물질을 단층, 혹은 적층 구조의 결합 구조로 구현한 결과, 단층 결합 구조가 그래핀 가장자리의 전자 산란을 감쇠시키는 것으로 나타나 띠간격이 있는 그래핀 나노 리본 연구에 큰 기여를 할 것으로 예상된다. 그래핀은 탄소로 이루어진 구조를 가지고 있지만 탄소가 아니라 수소나 산소 같은 원소들이 붙어서 그래핀의 가장자리가 불안정해질 경우 전자 이동이 방해받는 단점이 있었다. 연구팀은 이 가장자리를 그래핀과 비슷한 구조인 질소와 보론으로 이루어진 보론나이트라이드로 구현하는데 성공, 그러한 단점을 극복한 것이다. 또 적층 구조의 경우 보론나이트라이드를 기판으로 적용한 결과 그래핀이 금속성에서 반도체성으로 전환되었으며, 기존 산화 실리콘의 거친 표면으로 인한 그래핀의 전하이동도 저하 문제 또한 개선되었다. 이는 전자소자로서의 그래핀 연구에 큰 돌파구를 마련한 것으로, 향후 투명하면서 휘어지는 태양전지, 투명전극, 트랜지스터 등의 소프트 일렉트로닉스 분야에 큰 기여를 할 것으로 기대된다. KIST 김수민 박사는 "이번 연구는 그래핀 전자소자 연구의 최대 난제를 해결할 수 있는 새로운 연구 방향을 제시한 것으로 추후 새로운 소재를 통한 하이브리드 구조 연구에 기여할 것으로 기대된다" 고 말했다. 이번 연구는 KIST 및 교과부의 연구비 지원으로 수행되었다. ○ 연구진 ○ 사진설명 <그림> 그래핀과 보론 나이트라이드를 이용한 평면, 적층 구조의 하이브리드 연구 그래핀과 보론나이트라이드 두 물질을 이용하여 단층 혹은 적층 구조의 하이브리드 구조를 합성하였다. 합성 방법에 따라 구조를 달리 조절할 수 있으며, 단층 구조일 경우 그래핀 가장자리가 안정화되어 Raman 에서 D-band가 적게 나타남을 확인할 수 있다. 그리고 적층 구조에서는 보론나이트라이드 위에 그래핀을 적층 구조로 합성 시켜서 일반적으로 거친 산화실리콘 표면에서 오는 문제점을 평평한 표면의 보론나이트라이드를 합성하여 그러한 문제점을 감소시켜 그래핀의 본래의 특성을 잘 유지시켜주는 것을 보여주었다. 오른쪽 그림의 전자투과현미경 이미지에서는 적층구조로 합성한 결과 그래핀과 보론나이트라이드가 AA-like 혹은 AB-stacking 으로 구조화되어 합성 방법으로서 적층 구조 제어를 했다는 것을 보여주었다.

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그래핀 반도체 상용화 기술 개발 - KIST-MIT-동국대 공동연구팀, 새로운 소재와의 결합 통해 기존 그래핀의 한계 극복 - 전자 소자로서의 그래핀 상용화 가능성 높아져 그래핀은 전도성이 높고 강도가 강하며, 탄성이 뛰어나 꿈의 신소재라 불리며 전 세계적으로 활발히 연구되고 있다. 하지만 띠간격(band gap)이 없어 금속성을 지니고, 가장자리가 불안정하며 적합한 기판이 없어 전자소자로의 응용에 많은 어려움이 있었다. 이러한 문제점들을 해결할 수 있는 방법이 개발되었다. 한국과학기술연구원(KIST, 원장 문길주) 전북분원(분원장 홍경태) 복합소재기술연구소 소프트혁신소재연구센터 김수민 박사팀은 미국 메사추세츠 공과대학(MIT) Jing Kong 교수, 동국대학교 융합에너지신소재공학과 김기강 교수 연구팀 등과 함께 국내 최초로 그래핀과 보론나이트라이드를 이용한 결합 구조 구현에 성공했다고 밝혔다. 이번 연구 성과는 나노 분야의 세계적 권위지인 나노레터스(Nano Letters) 3월호에 게재되었다. 그래핀은 전자의 이동도가 높은 물질이다. 때문에 기존 반도체 실리콘(Si)의 대체 물질로 전자소자 등의 분야에 높은 활용성을 보일 것으로 기대되어 왔다. 하지만 가장자리에서의 전자 산란으로 인한 불안정성과, 기존에 기판으로 사용되어 온 산화 실리콘의 거친 표면으로 인한 전하이동도의 저하로 그동안 응용과 상용화에 어려움을 겪어왔다. 때문에 그동안 그래핀을 전자소자로 활용하기 위해 이러한 한계를 극복할 수 있는 방법에 대한 연구가 꾸준히 진행되어 왔다. 공동연구팀은 이러한 기존의 단점을 개선하기 위해 그래핀과 같은 육각형 모양을 가진, 탄소가 아닌 보론과 질소로 이루어진 보론나이트라이드를 이용하여 그래핀이 가지고 있는 문제점을 개선시킬 수 있는 새로운 하이브리드 구조를 구현하는데 성공했다. 화학증착법을 이용하여 그래핀과 보론나이트라이드 두 물질을 단층, 혹은 적층 구조의 결합 구조로 구현한 결과, 단층 결합 구조가 그래핀 가장자리의 전자 산란을 감쇠시키는 것으로 나타나 띠간격이 있는 그래핀 나노 리본 연구에 큰 기여를 할 것으로 예상된다. 그래핀은 탄소로 이루어진 구조를 가지고 있지만 탄소가 아니라 수소나 산소 같은 원소들이 붙어서 그래핀의 가장자리가 불안정해질 경우 전자 이동이 방해받는 단점이 있었다. 연구팀은 이 가장자리를 그래핀과 비슷한 구조인 질소와 보론으로 이루어진 보론나이트라이드로 구현하는데 성공, 그러한 단점을 극복한 것이다. 또 적층 구조의 경우 보론나이트라이드를 기판으로 적용한 결과 그래핀이 금속성에서 반도체성으로 전환되었으며, 기존 산화 실리콘의 거친 표면으로 인한 그래핀의 전하이동도 저하 문제 또한 개선되었다. 이는 전자소자로서의 그래핀 연구에 큰 돌파구를 마련한 것으로, 향후 투명하면서 휘어지는 태양전지, 투명전극, 트랜지스터 등의 소프트 일렉트로닉스 분야에 큰 기여를 할 것으로 기대된다. KIST 김수민 박사는 "이번 연구는 그래핀 전자소자 연구의 최대 난제를 해결할 수 있는 새로운 연구 방향을 제시한 것으로 추후 새로운 소재를 통한 하이브리드 구조 연구에 기여할 것으로 기대된다" 고 말했다. 이번 연구는 KIST 및 교과부의 연구비 지원으로 수행되었다. ○ 연구진 ○ 사진설명 <그림> 그래핀과 보론 나이트라이드를 이용한 평면, 적층 구조의 하이브리드 연구 그래핀과 보론나이트라이드 두 물질을 이용하여 단층 혹은 적층 구조의 하이브리드 구조를 합성하였다. 합성 방법에 따라 구조를 달리 조절할 수 있으며, 단층 구조일 경우 그래핀 가장자리가 안정화되어 Raman 에서 D-band가 적게 나타남을 확인할 수 있다. 그리고 적층 구조에서는 보론나이트라이드 위에 그래핀을 적층 구조로 합성 시켜서 일반적으로 거친 산화실리콘 표면에서 오는 문제점을 평평한 표면의 보론나이트라이드를 합성하여 그러한 문제점을 감소시켜 그래핀의 본래의 특성을 잘 유지시켜주는 것을 보여주었다. 오른쪽 그림의 전자투과현미경 이미지에서는 적층구조로 합성한 결과 그래핀과 보론나이트라이드가 AA-like 혹은 AB-stacking 으로 구조화되어 합성 방법으로서 적층 구조 제어를 했다는 것을 보여주었다.

그래핀 반도체 상용화 기술 개발 - KIST-MIT-동국대 공동연구팀, 새로운 소재와의 결합 통해 기존 그래핀의 한계 극복 - 전자 소자로서의 그래핀 상용화 가능성 높아져 그래핀은 전도성이 높고 강도가 강하며, 탄성이 뛰어나 꿈의 신소재라 불리며 전 세계적으로 활발히 연구되고 있다. 하지만 띠간격(band gap)이 없어 금속성을 지니고, 가장자리가 불안정하며 적합한 기판이 없어 전자소자로의 응용에 많은 어려움이 있었다. 이러한 문제점들을 해결할 수 있는 방법이 개발되었다. 한국과학기술연구원(KIST, 원장 문길주) 전북분원(분원장 홍경태) 복합소재기술연구소 소프트혁신소재연구센터 김수민 박사팀은 미국 메사추세츠 공과대학(MIT) Jing Kong 교수, 동국대학교 융합에너지신소재공학과 김기강 교수 연구팀 등과 함께 국내 최초로 그래핀과 보론나이트라이드를 이용한 결합 구조 구현에 성공했다고 밝혔다. 이번 연구 성과는 나노 분야의 세계적 권위지인 나노레터스(Nano Letters) 3월호에 게재되었다. 그래핀은 전자의 이동도가 높은 물질이다. 때문에 기존 반도체 실리콘(Si)의 대체 물질로 전자소자 등의 분야에 높은 활용성을 보일 것으로 기대되어 왔다. 하지만 가장자리에서의 전자 산란으로 인한 불안정성과, 기존에 기판으로 사용되어 온 산화 실리콘의 거친 표면으로 인한 전하이동도의 저하로 그동안 응용과 상용화에 어려움을 겪어왔다. 때문에 그동안 그래핀을 전자소자로 활용하기 위해 이러한 한계를 극복할 수 있는 방법에 대한 연구가 꾸준히 진행되어 왔다. 공동연구팀은 이러한 기존의 단점을 개선하기 위해 그래핀과 같은 육각형 모양을 가진, 탄소가 아닌 보론과 질소로 이루어진 보론나이트라이드를 이용하여 그래핀이 가지고 있는 문제점을 개선시킬 수 있는 새로운 하이브리드 구조를 구현하는데 성공했다. 화학증착법을 이용하여 그래핀과 보론나이트라이드 두 물질을 단층, 혹은 적층 구조의 결합 구조로 구현한 결과, 단층 결합 구조가 그래핀 가장자리의 전자 산란을 감쇠시키는 것으로 나타나 띠간격이 있는 그래핀 나노 리본 연구에 큰 기여를 할 것으로 예상된다. 그래핀은 탄소로 이루어진 구조를 가지고 있지만 탄소가 아니라 수소나 산소 같은 원소들이 붙어서 그래핀의 가장자리가 불안정해질 경우 전자 이동이 방해받는 단점이 있었다. 연구팀은 이 가장자리를 그래핀과 비슷한 구조인 질소와 보론으로 이루어진 보론나이트라이드로 구현하는데 성공, 그러한 단점을 극복한 것이다. 또 적층 구조의 경우 보론나이트라이드를 기판으로 적용한 결과 그래핀이 금속성에서 반도체성으로 전환되었으며, 기존 산화 실리콘의 거친 표면으로 인한 그래핀의 전하이동도 저하 문제 또한 개선되었다. 이는 전자소자로서의 그래핀 연구에 큰 돌파구를 마련한 것으로, 향후 투명하면서 휘어지는 태양전지, 투명전극, 트랜지스터 등의 소프트 일렉트로닉스 분야에 큰 기여를 할 것으로 기대된다. KIST 김수민 박사는 "이번 연구는 그래핀 전자소자 연구의 최대 난제를 해결할 수 있는 새로운 연구 방향을 제시한 것으로 추후 새로운 소재를 통한 하이브리드 구조 연구에 기여할 것으로 기대된다" 고 말했다. 이번 연구는 KIST 및 교과부의 연구비 지원으로 수행되었다. ○ 연구진 ○ 사진설명 <그림> 그래핀과 보론 나이트라이드를 이용한 평면, 적층 구조의 하이브리드 연구 그래핀과 보론나이트라이드 두 물질을 이용하여 단층 혹은 적층 구조의 하이브리드 구조를 합성하였다. 합성 방법에 따라 구조를 달리 조절할 수 있으며, 단층 구조일 경우 그래핀 가장자리가 안정화되어 Raman 에서 D-band가 적게 나타남을 확인할 수 있다. 그리고 적층 구조에서는 보론나이트라이드 위에 그래핀을 적층 구조로 합성 시켜서 일반적으로 거친 산화실리콘 표면에서 오는 문제점을 평평한 표면의 보론나이트라이드를 합성하여 그러한 문제점을 감소시켜 그래핀의 본래의 특성을 잘 유지시켜주는 것을 보여주었다. 오른쪽 그림의 전자투과현미경 이미지에서는 적층구조로 합성한 결과 그래핀과 보론나이트라이드가 AA-like 혹은 AB-stacking 으로 구조화되어 합성 방법으로서 적층 구조 제어를 했다는 것을 보여주었다.

그래핀 반도체 상용화 기술 개발 - KIST-MIT-동국대 공동연구팀, 새로운 소재와의 결합 통해 기존 그래핀의 한계 극복 - 전자 소자로서의 그래핀 상용화 가능성 높아져 그래핀은 전도성이 높고 강도가 강하며, 탄성이 뛰어나 꿈의 신소재라 불리며 전 세계적으로 활발히 연구되고 있다. 하지만 띠간격(band gap)이 없어 금속성을 지니고, 가장자리가 불안정하며 적합한 기판이 없어 전자소자로의 응용에 많은 어려움이 있었다. 이러한 문제점들을 해결할 수 있는 방법이 개발되었다. 한국과학기술연구원(KIST, 원장 문길주) 전북분원(분원장 홍경태) 복합소재기술연구소 소프트혁신소재연구센터 김수민 박사팀은 미국 메사추세츠 공과대학(MIT) Jing Kong 교수, 동국대학교 융합에너지신소재공학과 김기강 교수 연구팀 등과 함께 국내 최초로 그래핀과 보론나이트라이드를 이용한 결합 구조 구현에 성공했다고 밝혔다. 이번 연구 성과는 나노 분야의 세계적 권위지인 나노레터스(Nano Letters) 3월호에 게재되었다. 그래핀은 전자의 이동도가 높은 물질이다. 때문에 기존 반도체 실리콘(Si)의 대체 물질로 전자소자 등의 분야에 높은 활용성을 보일 것으로 기대되어 왔다. 하지만 가장자리에서의 전자 산란으로 인한 불안정성과, 기존에 기판으로 사용되어 온 산화 실리콘의 거친 표면으로 인한 전하이동도의 저하로 그동안 응용과 상용화에 어려움을 겪어왔다. 때문에 그동안 그래핀을 전자소자로 활용하기 위해 이러한 한계를 극복할 수 있는 방법에 대한 연구가 꾸준히 진행되어 왔다. 공동연구팀은 이러한 기존의 단점을 개선하기 위해 그래핀과 같은 육각형 모양을 가진, 탄소가 아닌 보론과 질소로 이루어진 보론나이트라이드를 이용하여 그래핀이 가지고 있는 문제점을 개선시킬 수 있는 새로운 하이브리드 구조를 구현하는데 성공했다. 화학증착법을 이용하여 그래핀과 보론나이트라이드 두 물질을 단층, 혹은 적층 구조의 결합 구조로 구현한 결과, 단층 결합 구조가 그래핀 가장자리의 전자 산란을 감쇠시키는 것으로 나타나 띠간격이 있는 그래핀 나노 리본 연구에 큰 기여를 할 것으로 예상된다. 그래핀은 탄소로 이루어진 구조를 가지고 있지만 탄소가 아니라 수소나 산소 같은 원소들이 붙어서 그래핀의 가장자리가 불안정해질 경우 전자 이동이 방해받는 단점이 있었다. 연구팀은 이 가장자리를 그래핀과 비슷한 구조인 질소와 보론으로 이루어진 보론나이트라이드로 구현하는데 성공, 그러한 단점을 극복한 것이다. 또 적층 구조의 경우 보론나이트라이드를 기판으로 적용한 결과 그래핀이 금속성에서 반도체성으로 전환되었으며, 기존 산화 실리콘의 거친 표면으로 인한 그래핀의 전하이동도 저하 문제 또한 개선되었다. 이는 전자소자로서의 그래핀 연구에 큰 돌파구를 마련한 것으로, 향후 투명하면서 휘어지는 태양전지, 투명전극, 트랜지스터 등의 소프트 일렉트로닉스 분야에 큰 기여를 할 것으로 기대된다. KIST 김수민 박사는 "이번 연구는 그래핀 전자소자 연구의 최대 난제를 해결할 수 있는 새로운 연구 방향을 제시한 것으로 추후 새로운 소재를 통한 하이브리드 구조 연구에 기여할 것으로 기대된다" 고 말했다. 이번 연구는 KIST 및 교과부의 연구비 지원으로 수행되었다. ○ 연구진 ○ 사진설명 <그림> 그래핀과 보론 나이트라이드를 이용한 평면, 적층 구조의 하이브리드 연구 그래핀과 보론나이트라이드 두 물질을 이용하여 단층 혹은 적층 구조의 하이브리드 구조를 합성하였다. 합성 방법에 따라 구조를 달리 조절할 수 있으며, 단층 구조일 경우 그래핀 가장자리가 안정화되어 Raman 에서 D-band가 적게 나타남을 확인할 수 있다. 그리고 적층 구조에서는 보론나이트라이드 위에 그래핀을 적층 구조로 합성 시켜서 일반적으로 거친 산화실리콘 표면에서 오는 문제점을 평평한 표면의 보론나이트라이드를 합성하여 그러한 문제점을 감소시켜 그래핀의 본래의 특성을 잘 유지시켜주는 것을 보여주었다. 오른쪽 그림의 전자투과현미경 이미지에서는 적층구조로 합성한 결과 그래핀과 보론나이트라이드가 AA-like 혹은 AB-stacking 으로 구조화되어 합성 방법으로서 적층 구조 제어를 했다는 것을 보여주었다.

우리 원은 12일, 박종오 소장(전남대학교 로봇연구소, 전 KIST 책임연구원), 김병규 교수(한국항공대학교 항공우주 및 기계공학부, 전 KIST 책임연구원), 김태송 박사(KIST 바이오마이크로시스템연구단 현 책임연구원)가 기술(특허) 이전으로 수령한 기술료 인센티브 중 1억 5천만원을 KIST의 사회공헌기금인 ‘KIST 과학나눔기금’ 에 기부하기로 했다고 밝혔다. 이들은 지난 2012년 2월, 자벌레의 이동 원리를 응용, 심하게 굴곡진 대장 속에서도 자연스럽게 이동하는 로봇 대장 내시경 기술을 개발해 이탈리아 의료장비 기업인 ERA 엔도스코피(ERA Endoscopy)에 100만유로(약 15억원)에 기술 특허를 이전한바 있다. 이 로봇 대장 내시경 기술은 검진시 불쾌감과 고통이 수반되고 장 천공 등의 위험성이 컸던 기존 대장 내시경 장비에 비해 환자들의 통증을 크게 줄이고 의사와 환자 양쪽 모두의 검사 편의성을 향상시킨 것으로 평가받고 있다. 전남대 박종오 교수는 “열심히 연구해 동료들과 함께 인센티브를 받아 즐겁고, 저의 고향인 KIST에 기부도 할 수 있어 매우 큰 보람을 느낀다” 고 말했고, 한국항공대 김병규 교수도 “특허 취득과 그로인한 기술료 수입은 연구자 개인의 성과이기도 하지만, 그러한 연구를 원활히 수행할 수 있도록 여건을 조성해준 연구소와 선후배들의 배려와 노력 덕분이기도 하다” 며 공을 돌렸다. KIST 김태송 박사 또한 “이번 기부가 이공계 후배들과 어려운 이웃들에게 조금이나마 도움이 되었으면 한다” 고 말했다. KIST 과학나눔기금은 KIST가 이웃과 함께하고 사회에 공헌하기 위해 설립한 사회공헌기금으로 직원들의 연봉 1% 기부와 외부의 자율적인 기부 약정을 통해 모금되고 있다. 기금은 이공계 학생 장학사업 및 개도국 지원사업, 사회봉사활동 등의 나눔 사업과, 우수 학술 연구자 지원 및 연구공간 확충 등의 KIST 발전 사업에 쓰일 예정이다. 작년 4월 출범이후 지금까지 총 460여명이 참여하여 4억여원이 모금되었고, 15억여원이 약정되었다(2013년 2월 현재). 우리 원은 2015년까지 총 118억원의 모금액을 조성할 예정이다. 문길주 원장은 이번 기부를 ‘대단한 일’ 이라고 평가하고, “KIST에서 개발한 내시경 기술이 선진국에 수출되었다는 것 뿐만 아니라, 연구자들이 그를 통해 얻은 인센티브를 자발적으로 기부했다는 사실이 자랑스럽다” 며, “이러한 과학자들의 인센티브 기부 문화가 출연연만의 독특한 사회공헌활동의 한 유형으로 자리 잡았으면 하는 바램” 이라고 말했다. 문길주 원장은 이번 기부를 ‘대단한 일’ 이라고 평가하고, “KIST에서 개발한 내시경 기술이 선진국에 수출되었다는 것 뿐만 아니라, 연구자들이 그를 통해 얻은 인센티브를 자발적으로 기부했다는 사실이 자랑스럽다” 며, “이러한 과학자들의 인센티브 기부 문화가 출연연만의 독특한 사회공헌활동의 한 유형으로 자리 잡았으면 하는 바램” 이라고 말했다.

우리 원과 대학이 협동으로 운영하고 있는 “학·연협동연구 및 과학기술연합대학원대학교 석·박사과정” 2013년 전기 이수증 수여식이 2월 20일 국제협력관 컨벤션홀에서 개최되어 학연76명(석사70명 박사6명), UST 6명(석사5명 박사1명)의 졸업생이 배출되었다. 이 날 행사에서 학업 성적과 연구수행 실적이 뛰어난 학생들에게 표창장을 수여하였는데 수상자는 다음 표와 같다. ○ 학연학생 구분 과정 성명 학교 소속부서 지도교수 최우수상 박사 이소진 고려대 의공학연구소. 테라그노시스연구단 권익찬 석사 신언성 고려대 녹색도시기술연구소. 에너지융합연구단 조원일 우수상 박사 이윤석 고려대 미래융합기술연구본부. 화학키노믹스연구센터 노은주 류지혜 고려대 국가기반기술연구본부. 청정에너지연구센터 서동진 석사 유동윤 고려대 미래융합기술연구본부. 계면제어연구센터 임정아 조형 강릉원주대 강릉분원. 기능성천연물연구센터 정상훈 ○ UST 학생 구분 과정 성명 학교 소속부서 지도교수 최우수상 박사 장재완 국내 연합대 뇌과학연구소. 뇌의약연구단 배애님 우리 원의 학·연과정은 국내에서 가정 성공적으로 운영되고 있는 산·학·연 교육프로그램으로 확고한 자리매김을 하고 있으며 현재 총 13대학과 협정을 체결하고 있다. 학·연 프로그램을 통하여 ‘91년부터 지금까지 배출한 석·박사는 이번 졸업생을 포함 2,040명(석사 1,635명, 박사 405명)에 이르고, 두 번째로 통합해서 수여식을 한 과학기술연합대학원대학교 64명(석사 53명, 박사 11명)을 수여식을 하였다.